HINN700TK190B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為高性能氮化鎵晶體管（GaN HEMT），采用N溝道結(jié)構(gòu)，具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)特性。主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達(dá)700V，導(dǎo)通電阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件適用于電源適配器、無(wú)線充電、LED驅(qū)動(dòng)及通信設(shè)備等領(lǐng)域的功率管理場(chǎng)景，提供緊湊設(shè)計(jì)與高效能表現(xiàn)的基礎(chǔ)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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