SP8K33FRATB-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6.5A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具有良好的導通特性和開關性能。其主要參數包括：漏極電流ID為6.5A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON為32mΩ，適用于中功率電源轉換與控制應用。該器件可在高頻條件下穩定運行，降低能量損耗，提升系統效率。常用于電源管理模塊、DC-AC逆變器、電機驅動電路及智能充電設備中的功率控制部分。其封裝形式靈活，便于在多種電路環境中實現高效布板和良好散熱。
