SI4946BEY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6.5A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NN溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流ID為6.5A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON為32mΩ。該器件采用雙溝道結構，適合需要雙向控制與功率切換的應用場景。廣泛應用于電源轉換、電池管理、負載開關及各類便攜式電子設備中的功率調節模塊，具備良好的熱穩定性和動態響應能力，適用于多種中低壓電路設計需求。
