AOSD32334C_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用NN溝道組合設計，具備優異的導通與開關性能。其漏極電流ID可達8.5A，漏源電壓VDSS為30V，確保在中功率應用中的可靠性。導通電阻RDON低至17mΩ，有助于降低功耗并提升效率。適用于電源管理、DC-DC轉換器、負載開關以及高密度電力電子設備的設計，為電路提供高效、穩定的控制能力，適合對性能和空間布局均有要求的場景。
