SUD50N03-06AP-E3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有出色的導通與開關性能。其漏極電流ID為100A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源系統設計。導通電阻RDON低至3.8mΩ，顯著減少導通損耗，提高整體效率。器件結構優化，具備良好的熱穩定性和耐用性，適用于高效DC-DC轉換器、電池保護電路及大電流開關等應用場景，可滿足對性能和可靠性有較高要求的電子系統需求。
