IRLR8256PBF-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備較高的電流承載能力，最大漏極電流ID可達(dá)100A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON低至3.8mΩ。該器件在高效率功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制中表現(xiàn)出良好的電氣性能，適用于多種電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗，提升整體系統(tǒng)效率。可廣泛應(yīng)用于電源管理模塊、高頻開(kāi)關(guān)電路以及各類高性能電子設(shè)備中，滿足對(duì)功率密度與穩(wěn)定性要求較高的使用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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