IRLR7833TRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于高效率、高密度電源轉換系統。其主要參數包括：最大漏極電流ID為100A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至3.8mΩ，有助于降低導通損耗并提升整體能效。該器件采用先進工藝制造，具備優良的熱穩定性和可靠性，適用于各類中功率電源管理場合，如同步整流、DC-DC轉換器及負載開關等應用。
