DI030N03D1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和50A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率電子系統。導通電阻（RDON）為7.5mΩ，有助于降低導通損耗，提高能效。器件采用緊湊型封裝設計，具備良好的熱傳導性能與穩定性，適用于電源轉換、負載開關、電池管理系統及高性能數字控制電路。其參數配置兼顧導通壓降與開關特性，適合用于對效率與空間布局有要求的通用電子設備。
