SUD50P04-08-BE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具有40V漏源擊穿電壓（VDSS），最大連續漏極電流（ID）可達50A，導通電阻（RDON）低至10mΩ，顯著降低導通損耗并提升整體效率。器件采用優化設計，具備良好的高頻開關特性和熱穩定性，適用于多種電源管理應用，如DC-DC轉換器、電池供電設備、負載開關及電機驅動電路。其高電流承載能力和低導通電阻特性，有助于實現高效、緊湊的電路設計，在多種電子系統中提供穩定可靠的性能表現。
