FDD5N50NZTM-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用N溝道結構，具備5A的連續漏極電流（ID）和500V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于需要中高功率處理能力的電路設計。其導通電阻（RDON）為1300mΩ，在同類器件中具有較好的導電性能，有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件適用于多種電源管理及轉換場景，如開關電源、DC-DC轉換器、負載開關以及高精度電機控制電路等。憑借其穩定的電氣特性和較高的耐壓能力，可滿足復雜電路環境中對性能與可靠性的基本需求。
