SQ2319ADS-T1_GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:68mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款場效應管（MOSFET）為P溝道增強型器件，具有5A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中低功率電源管理應用。其導通電阻（RDON）低至68mΩ，有助于減少導通狀態下的功率損耗，提高整體能效。該器件常用于各類便攜式設備與小型電子裝置中的電源開關、電壓調節、負載控制及電池充放電管理等場景。憑借較低的導通電阻與穩定的電氣性能，可在多種通用電路設計中提供可靠支持。
