SI7617DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）的主要參數包括：漏極電流ID為32A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至10mΩ。該器件具備較高的電流承載能力和較低的導通損耗，適用于多種功率開關和控制場景。其P溝道結構適合用于電源側開關或負載切換應用，可有效提升系統效率與穩定性。典型應用場景包括便攜式電源設備、消費類電子產品中的DC-DC轉換模塊、電池充放電管理電路以及各類中功率開關控制單元。
