SQD100N02_3M5L4GE3-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON低至3.5mΩ。該器件適用于高效率、高功率密度的開(kāi)關(guān)電源、同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換以及負(fù)載管理等應(yīng)用場(chǎng)景，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠滿(mǎn)足高頻電路對(duì)性能的嚴(yán)苛要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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