DMN2024U-7-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為7A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON為15mΩ。該器件具有較快的開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性，適合用于中低功率電路中的開(kāi)關(guān)控制。其較低的導(dǎo)通電阻有助于提升整體效率并降低運(yùn)行溫度。適用于各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品、便攜式設(shè)備、電源管理系統(tǒng)以及小型開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)需求，具備較強(qiáng)的通用性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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