IPD50N04S3-09-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備高電流承載能力和優異的導通性能。器件最大漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至7.7mΩ，可有效提升系統效率并減少功率損耗。采用成熟穩定的制造工藝，具有良好的熱穩定性和耐用性，適用于各類高頻開關電源、同步整流模塊、電池管理系統以及消費類電子設備中的高效功率控制電路。
