MVGSF1N03LT1G-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:86mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和2A的額定漏極電流（ID），適用于中低功率電路設(shè)計。導(dǎo)通電阻（RDON）為86毫歐，能夠在較低電流條件下實現(xiàn)較為理想的導(dǎo)通性能，減少能量損耗。該器件常用于便攜式電子設(shè)備、小型電源模塊、信號切換電路以及各類智能控制板卡中，為系統(tǒng)提供可靠的開關(guān)控制與穩(wěn)定的電氣表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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