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XP236N2001TR-G-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:2A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:86mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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本款N溝道場效應管(MOSFET)具備30V漏源耐壓(VDSS)與2A連續漏極電流(ID)能力,適用于中低功率開關應用。86mΩ的導通電阻(RDON)可在較低電流下實現良好的導通效率,減少發熱并提升整體能效。器件結構穩定,響應速度快,適合應用于小型電源轉換器、智能控制電路、電池供電設備及各類電子負載管理場景,為多樣化電子產品提供高效、可靠的半導體支持方案。

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