IPT015N10NF2SATMA1-HXY_TOLL_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:350A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)異的電學(xué)性能和良好的熱穩(wěn)定性，主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為350A，漏源電壓VDSS為100V，導(dǎo)通電阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先進封裝與制造工藝，能夠在高頻率、大功率條件下實現(xiàn)高效導(dǎo)通與低損耗運行。適用于高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、儲能設(shè)備、智能電網(wǎng)裝置及計算硬件等應(yīng)用場景，滿足復(fù)雜電路中對電流控制與能效優(yōu)化的高要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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