SI4435DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS），支持連續(xù)漏極電流達(dá)11A（ID），導(dǎo)通電阻低至13毫歐（RDON），可有效減少導(dǎo)通損耗并提升效率。器件采用高可靠性工藝制造，具備優(yōu)良的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于電源管理系統(tǒng)、便攜式電子設(shè)備、通信模塊及計算平臺中的DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電池保護(hù)電路等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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