NP36P06SLG-E1-AY-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），可滿足中高功率應(yīng)用需求。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為29毫歐，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。器件適用于各類電源管理系統(tǒng)，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路及同步整流電路。得益于P溝道設(shè)計(jì)，該MOSFET在上橋臂開(kāi)關(guān)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、響應(yīng)迅速，廣泛用于通信設(shè)備、智能家居控制模塊及高性能消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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