SIR882BDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的導通性能與較高的電流承載能力，適用于多種高效能場景。其漏極電流ID可達80A，漏源電壓VDSS為100V，確保在較高功率條件下穩(wěn)定運行；導通電阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功耗并提升整體效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐久性，適合用于電源管理、開關(guān)電路、電機控制及高密度電力系統(tǒng)等對性能和可靠性有要求的應(yīng)用領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
