FQA24N50-HXY_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:28A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和28A的連續漏極電流（ID），適用于中高壓功率控制場景。其導通電阻（RDON）典型值為150毫歐，在高頻開關應用中可有效降低導通損耗，提升系統能效。器件采用標準封裝形式，具備良好的散熱性能與長期工作穩定性，適用于電源轉換設備、照明控制系統、電機驅動模塊以及其他需要高效功率管理的電子裝置。
