E3M0060065D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有29A的最大漏極電流能力，導通狀態下典型電阻值為60mΩ。碳化硅材料的使用顯著提升了器件在高壓與高頻條件下的工作效率和熱穩定性。該器件適用于高效電源轉換系統、可再生能源逆變裝置、儲能系統的功率調節模塊以及精密電機驅動電路，能夠滿足對能效表現和運行可靠性有較高要求的多樣化應用場景。
