IPW60R070P6-HXY_TO-247_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:29A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:60mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),具備650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和29A的最大連續(xù)漏極電流(ID),導(dǎo)通電阻(RDON)低至60mΩ,適用于高效率、高功率密度的開關(guān)電路設(shè)計(jì)。器件采用成熟穩(wěn)定的制造工藝,具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、儲(chǔ)能系統(tǒng)及精密電子設(shè)備中的高頻開關(guān)應(yīng)用。封裝形式可根據(jù)需求適配多種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,便于在不同電路環(huán)境中安裝與使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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