STY139N65M5-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有優異的電性能和可靠性,適用于多種高效率電源管理系統。其主要參數包括:漏極電流ID為120A,漏源擊穿電壓VDSS達650V,導通電阻RDON低至15mΩ,有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件采用標準封裝形式,具備良好的熱穩定性和耐高溫能力,適合用于開關電源、DC-DC轉換器、電機控制及高密度電力電子設備中的功率調節與管理環節,滿足對性能與空間優化有較高要求的應用場景。
