NTMFS4C59NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高電流處理能力和低導通電阻特性，適用于多種功率管理與電源轉換應用。其主要參數包括：最大漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅為4.3mΩ，有效降低功率損耗并提升系統效率。器件具有良好的熱穩定性和快速開關響應能力，適合用于同步整流、電源分配、電池管理系統及高效能DC-DC轉換器等場景，滿足對性能和可靠性有較高要求的電路設計方案。
