IPL60R180P6AUMA1-HXY_DFN8X8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受最高10A的連續漏極電流（ID）。導通狀態下，其導通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件適用于高頻率開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動電路及各類功率控制設備中，具備良好的熱穩定性和響應速度，適合對性能和可靠性有較高要求的電子設計方案。
