NTMFS4C09NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中低電壓高電流應用場景。其導通電阻（RDON）低至4.3mΩ，有效降低導通損耗并提升系統效率。該器件適合用于電源管理模塊、電池供電設備、DC-DC轉換器及電機驅動電路等場合，具備良好的熱穩定性和快速開關響應能力，可滿足對效率與可靠性有較高要求的電子設計方案。
