GAN140-650FBEZ-HXY_DFN5X6E-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和17A的額定漏極電流（ID），適用于高電壓和中等功率應用場景。導通電阻（RDON）為100mΩ，可在開關過程中有效降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源轉換、電機控制、照明驅動及各類通用開關電路中，為電路設計提供高效、穩定的性能支持。
