HXY30HS03DF_DFN3X3D-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3D-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8.8mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款NN溝道場效應管（MOSFET）設計用于高效能電源管理應用。它具有30A的連續漏極電流ID，適用于處理高負載電流的需求。VDSS電壓為30V，確保在多數低壓電路中提供足夠的安全邊際。導通電阻RDON僅為8.8毫歐姆，有助于降低功耗和提高效率。柵源電壓VGS為20V，能夠兼容多種驅動電路的設計要求。雙N溝道結構使得該元件非常適合需要同步整流或并聯操作的應用場景，以實現更加緊湊和高效的電源解決方案。
