SQ7415AEN-T1_GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:55mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備20安培的最大持續漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于多種高要求電路設計。其導通電阻（RDS(on)）低至55毫歐，在確保高效性能的同時，減少了發熱問題。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，保證了穩定的開關特性。該元件在電源管理、信號調節等應用中表現出色，能夠實現精準的電流控制和快速響應，適合用作高效的開關器件或放大器。
