G3R75MT12J-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），型號ID:30A，擁有1200V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于高要求的電力轉換場景。其導通電阻RDON為75mΩ，在保證低損耗的同時提升了能效。柵極與源極間的電壓VGS范圍是-4V到!8V，確保了器件在不同工作條件下的穩定性和可靠性。憑借快速的開關特性和優秀的耐高壓能力，此款MOSFET非常適合用于高效電源管理系統及需要高轉換效率的設備中，是提升整體性能的關鍵元件。
