HXY3030BGD_TO-252-4L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-4L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：/ 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:9.5mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款NP溝道場效應管（MOSFET）結合了N溝道和P溝道的優勢，提供30A的漏極電流（ID），適用于需要雙向電流控制的應用。最大漏源電壓（VDSS）為30V，能夠滿足廣泛的電路設計需求。N溝道部分的導通電阻（RDON）低至9.5毫歐，有效降低能耗并提升效率。柵源電壓（VGS）為20V，確保在高電壓操作環境下的穩定性和可靠性。該器件特別適合用于電源切換和管理電路中，既能實現快速開關，又能保持低損耗，是構建高效、緊湊型電源解決方案的理想選擇。
