HFQD13N10LTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:12A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:95mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有卓越的電氣性能，適用于廣泛的電子項目中。其最大漏極電流ID為12A，最高漏源電壓VDSS達100V，確保了在高壓環境下的可靠運行。導通電阻RDON僅為95mΩ，有效降低了工作時的功率損耗。支持的最大柵源電壓VGS為20V，提供了靈活的驅動選項。該MOSFET適用于電源供應、逆變器、電池管理系統以及各種開關電路中，是追求高性能與低功耗設計的理想選擇。
