HCSD18534Q5A_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適用于高效電源管理系統(tǒng)及負(fù)載開關(guān)電路。其漏源電壓（VDSS）為60V，連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)65A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率傳輸并降低發(fā)熱。柵極驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）為20V，具備良好的開關(guān)特性與穩(wěn)定性。器件適用于消費(fèi)類電子、通信設(shè)備及便攜式產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和電池管理等應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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