HBSC066N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的最大持續(xù)電流（ID/A），能夠承受最高60V的漏源電壓（VDSS/V）。導(dǎo)通電阻僅為5.3毫歐（RDSON/mΩ），保證了在大電流條件下仍能保持較低的功耗。柵源電壓（VGS/V）的絕對值可達(dá)±25V，為驅(qū)動提供了寬泛的電壓范圍。該MOSFET適用于需要高效能和高可靠性的工作環(huán)境，如電源管理、便攜式設(shè)備中的開關(guān)應(yīng)用以及電池供電電路等。其性能特點(diǎn)使其成為設(shè)計中實現(xiàn)電流控制與轉(zhuǎn)換的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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