HSTD35NF06LT4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣性能，最大漏極電流ID可達50A，漏源極斷態電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至15mΩ，柵源極電壓VGS范圍為±20V。這些特性使得它非常適合用于高效率開關電源、電池管理以及各類電子設備中的信號放大與開關控制應用。其低導通電阻有助于減少熱損耗，提高系統整體能效。此MOSFET的緊湊設計也有助于節省電路板空間，滿足現代電子產品對小型化、高性能的需求。
