HIRFZ44NSTRLPBF_TO-263_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:55V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備49A的連續(xù)排水電流（ID/A），能夠承受高達(dá)55V的漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為9毫歐（mΩ），有助于降低功耗，在高負(fù)載條件下依然保持高效能。該器件支持最大±20V的柵源電壓（VGS/V），增強(qiáng)了操作靈活性。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換與管理，以及便攜設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)等功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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