HSI2367DST1GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具有3A的連續漏極電流（ID/A），可在高達20V的漏源電壓（VDSS/V）環境下可靠操作。其導通電阻（RDSON/mR）為60毫歐姆，在12V的柵源電壓（VGS/V）條件下展現出良好的導電性能。適用于多種低功率需求的場合，例如消費電子產品的負載開關或電池供電設備中的電源路徑管理，其低功耗特性有助于延長設備的運行時間。此元件的小型化和高效性使其成為設計精密電子裝置時的重要組件。
