HIPD50N06S4L12ATMA2_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)排水電流（ID），能夠承受最高60V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為11毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）下能有效降低功耗。該MOSFET適用于需要高效能與可靠性的電子設(shè)計(jì)中，如電源管理、便攜式設(shè)備的電源開關(guān)以及適配器中的開關(guān)應(yīng)用等。其優(yōu)良的電氣特性使其成為設(shè)計(jì)緊湊型高性能電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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