HSQ1563AEHT1GE3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管（MOSFET）屬于NP溝道類型，具備0.8A的最大漏極電流（ID），能夠承受高達20V的漏源電壓（VDSS）。其低至320毫歐的導通電阻（RDSON）有助于減少能量損耗。該MOSFET支持±12V范圍內的柵源電壓（VGS），適合用于多種電子設備中的信號放大、邏輯電路或開關應用，同時在小型化的電源管理和消費類電子產品中的性能表現尤為突出。
