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HAOTF10N65_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-220F 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:電流ID:10A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:860mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有10A的連續(xù)排水電流(ID)能力,在最大650V的漏源電壓(VDSS)下能夠可靠工作。其導(dǎo)通電阻(RDSON)僅為0.86Ω,在30V的柵源電壓(VGS)驅(qū)動(dòng)下可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。這些特性使其適用于高效率開(kāi)關(guān)電源、便攜式設(shè)備以及需要在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。此MOSFET的設(shè)計(jì)確保了在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效能與耐用性。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014