HAOD538_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:150A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下性能特點：最大漏極電流ID可達150A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至2mΩ，柵源電壓VGS為20V。該器件具備大電流承載能力和極低的導通損耗，適用于高效率功率轉換和開關應用。可廣泛用于電源管理模塊、電池供電系統、消費類電子設備及通信產品中的高電流開關控制電路，提供穩定可靠的功率支持，是一款高性能的基礎功率半導體器件。
