HPMV30UN2_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有6A的連續排水電流（ID），最大承受漏源電壓（VDSS）為20V，導通電阻（RDSON）為22毫歐，并在柵源電壓（VGS）為12V時正常工作。該MOSFET適用于需要高效率和快速開關特性的應用，如便攜設備的電源管理單元或電子玩具中的信號放大與處理部分，能夠在這些應用中實現低功耗及穩定的性能表現。其較低的導通電阻有助于減少能量損失，適合用于對功耗敏感的設計中。
