HFQD19N10LTM_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計有15A的連續(xù)排水電流（ID），適用于需要大電流處理能力的應(yīng)用。其額定漏源電壓（VDSS）為100V，確保了在高壓環(huán)境下的可靠性能。導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為100毫歐，有助于在負(fù)載條件下保持低發(fā)熱和高效率。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）為±20V，增強(qiáng)了驅(qū)動兼容性和靈活性。適用于各種需要高性能電力轉(zhuǎn)換與控制的場合，如高性能計算硬件的電源管理單元或日常家用電器的電機(jī)驅(qū)動部分。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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