HGS0650112LTR_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)具備10安培的連續(xù)漏極電流(ID)能力和650伏特的漏源電壓(VDSS)，導(dǎo)通電阻為160毫歐姆(RDON)，能夠有效降低系統(tǒng)功耗。其柵源電壓范圍在-1.4至&伏特(VGS)之間，屬于N型晶體管。憑借出色的開(kāi)關(guān)速度與效率，該產(chǎn)品非常適合應(yīng)用于要求高性能的電源轉(zhuǎn)換、消費(fèi)類電子設(shè)備以及需要快速響應(yīng)時(shí)間的場(chǎng)景中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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