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HAIMZH120R030M1T_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:117A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:33mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)為N溝道類型,具有出色的電氣性能。其最大漏極電流可達(dá)117A,支持高達(dá)1200V的漏源電壓,確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。導(dǎo)通電阻僅為33mΩ,有效降低能耗并提高效率。柵源電壓范圍從-4V至!8V,提供廣泛的驅(qū)動(dòng)兼容性。該產(chǎn)品適用于需要高效能、高可靠性的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,如可再生能源系統(tǒng)或高性能電源供應(yīng)裝置中,能夠滿足對(duì)尺寸緊湊同時(shí)要求高性能的應(yīng)用需求。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014