HIMZA65R027M1H_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有N溝道結構，其最大導通電流（ID/A）可達120A，在斷態下的最大電壓（VDSS/V）為650V。該器件展現出優異的導電性能，導通狀態下的電阻（RDSON/mΩ）僅為15毫歐姆，有效降低了導電過程中的能量損耗。柵源電壓（VGS/V）的最大值為15V，確保了可靠的開關操作。此MOSFET適用于高性能電力轉換系統，如逆變器和電源管理模塊中，能夠提升系統的整體效率與可靠性。
