HSCT018W65G34AG_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）支持高達120安培的連續漏極電流（ID），并具備650伏特的漏源電壓承受能力（VDSS）。其導通電阻僅為15毫歐姆（RDON），有助于實現低功耗和高效率。該器件的最大柵源電壓（VGS）為15伏特，適用于需要快速開關速度與良好熱性能的應用場合，比如高性能電源轉換系統、逆變裝置等，確保了在各種嚴苛條件下的穩定性和可靠性。
