HTW048N65C_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，具有49A的連續漏極電流（ID）處理能力，在阻斷電壓（VDSS）方面能達到650V。其導通電阻（RDSON）僅為33毫歐，這表明在導通狀態下，該器件能有效降低電力損耗。柵源電壓（VGS）范圍從-5V到@0V，確保了寬泛的工作條件下的可靠性。這些特性使其適用于需要高效能、高耐壓與快速開關特性的電子設備中，特別是在要求嚴苛的電源管理和轉換應用中表現出色。
